三星宣布将全面推进EUV工艺帮助量产DDR5内存

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  随着制程节点迈入7nm,EUV极紫外光刻工艺将在未来的半导体芯片制造上成为主流。近日,三星宣布将率先为DRAM内存颗粒生产引入EUV工艺。

  三星表示,将从第四代10nm级(D1a)DRAM或高端级14nm级DRAM开始全面导入EUV,2021年大规模量产的DDR5和LPDDR5内存芯片将因此受益,预计会使12英寸晶圆的生产率翻番。

  根据三星此前判断,EVU工艺将帮助其将制程节点 推进到3nm,那么在未来7nm、5nm制程节点上,EUV将发挥极大作用。